¹°¸®Àû Àç»ê
½ºÅ丮Áö À¯Çü ºñ Èֹ߼º
VL Å͹̳ΠÀü¾Ð (ÃÖ¼Ò)(V)-5 V
Àü¿ø °ø±Þ ÀåÄ¡ Àü¾Ð Vcc ¹üÀ§ 4.5 5.5
Æ÷Àå ¹æ¹ý Æ©ºê
ÇÉ ¼ö 8 #
VL ´ÜÀÚ Àü¾Ð (ÃÖ´ë)(V)5 V
Áß°£ ÁöÁ¡ ºñÀ² ¿Âµµ 20
ÀÚ°Ý ¼öÁØ Ç¥ÁØ
ÀúÇ× ¿É¼Ç 10 k ¥Ø
Àü¿ø °ø±Þ ÀåÄ¡ ÇöÀç Icc 750 ¹× ¸¶ÀÌÅ©·Î; A
Áö¿ì±â ÀúÇ× 40 ¿È
ÀúÇ× Å×ÀÌÆÛ ¼±Çü
¼Ò°Å Àü·ù 4.4 mA
ÅÇ (#)100 #
Á¦Ç° ¼¼ºÎ Á¤º¸ X9C102, X9C103, X9C104, X9C503 Àº IntersilÀÇ µðÁöÅÐ Á¦¾î (XDCP) ÀüÀ§Â÷°èÀÔ´Ï´Ù. ÀÌ ÀåÄ¡´Â ÀúÇ× ¾î·¹ÀÌ, ¿ÍÀÌÆÛ ½ºÀ§Ä¡, Á¦¾î ¼½¼Ç ¹× ºñ Èֹ߼º ¸Þ¸ð¸®·Î ±¸¼ºµË´Ï´Ù. ¿ÍÀÌÆÛ À§Ä¡´Â 3 ¼± ÀÎÅÍÆäÀ̽º·Î Á¦¾îµË´Ï´Ù. ÀüÀ§Â÷°è´Â 99 °³ÀÇ ÀúÇ× ¿ä¼Ò¿Í ¿ÍÀÌÆÛ ½ºÀ§Äª ³×Æ®¿öÅ©·Î ±¸¼ºµÈ ÀúÇ× ¾î·¹ÀÌ¿¡ ÀÇÇØ ±¸ÇöµË´Ï´Ù. °¢ ¿ä¼Ò »çÀÌ¿Í ¾çÂÊ ³¡¿¡´Â ¿ÍÀÌÆÛ Å͹̳ο¡ Á¢±Ù ÇÒ ¼öÀÖ´Â ÅÇ Æ÷ÀÎÆ®°¡ ÀÖ½À´Ï´Ù. ¿ÍÀÌÆÛ ¿ä¼ÒÀÇ À§Ä¡´Â CS,U/D ¹× INC ÀԷ¿¡ ÀÇÇØ Á¦¾îµË´Ï´Ù. ¿ÍÀÌÆÛÀÇ À§Ä¡´Â ºñ Èֹ߼º ¸Þ¸ð¸®¿¡ ÀúÀå ÇÑ ´ÙÀ½ ÈÄ¼Ó Àü¿ø ÀÛµ¿ ½Ã ´Ù½Ã ºÒ·¯¿Ã ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ÀÌ ÀåÄ¡´Â Á¦¾î¿¡¼ ½ÅÈ£ ó¸®, ¸Å°³ º¯¼ö Á¶Á¤¿¡ À̸£±â±îÁö ´Ù¾çÇÑ ÀÀ¿ë ºÐ¾ß¿¡¼ 3 ´ÜÀÚ ÀüÀ§Â÷°è ¶Ç´Â 2 ´ÜÀÚ °¡º¯ ÀúÇ×À¸·Î »ç¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
´ÜÀÏ Àü¿ø °ø±Þ ÀåÄ¡ Àü¾Ð ¹üÀ§ 0-5.5 V
½ºÀ®-5.5 V¿¡¼ 5.5 V±îÁöÀÇ ´ÜÀÏ °ø±ÞÀÌ °¡´ÉÇÑ ÅëÇÕ ÃæÀü ÆßÇÁ
Ư¡-¼Ö¸®µå ½ºÅ×ÀÌÆ® ÀüÀ§Â÷°è-3 ¿ÍÀ̾î Á÷·Ä ÀÎÅÍÆäÀ̽º;- 100 ¿ÍÀÌÆÛ ÅÇ Æ÷ÀÎÆ®;-¿ÍÀÌÆÛ À§Ä¡ ºñ Èֹ߼º ¸Þ¸ð¸®¿¡ ÀúÀåµÇ°í Àü¿ø °ø±Þ½Ã ¸®ÄÝ;- 99 ÀúÇ× ¿ä¼Ò;-¿Âµµ º¸»ó;-¿£µå Åõ ¿£µå ÀúÇ×, ± 20%;-Å͹̳ΠÀü¾Ð, ± 5V;-ÀúÀü·Â CMOS;- VCC = 5V;-È°¼º Àü·ù, 3mA ÃÖ´ë.;-´ë±â Àü·ù, 750 ¹× ¸¶ÀÌÅ©·Î; ÃÖ´ë.;-³ôÀº ½Å·Ú¼º;-³»±¸¼º, ºñÆ® ´ç µ¥ÀÌÅÍ º¯°æ 100,000;-µ¥ÀÌÅÍ º¸Á¸, 100 ³â µî·Ï;- X9C102 = 1kOhms;- X9C103 = 10kOhms;- X9C503 = 50kOms;- X9C104 = 100kOms;-ÆÐÅ°Áö;- 8 Ld SOIC;- 8 Ld PDIP;- Pb-¹«·á »ç¿ë °¡´É (RoHS Áؼö)
¿£µå Åõ ¿£µå ¿Âµµ °è¼ö 300 ppm/° C