Ư¡:
NPN ¹× PNP Æ®·£Áö½ºÅÍ, n ä³Î ¹× p ä³Î MOSFET, ´ÙÀÌ¿Àµå (ÀÌÁß ´ÙÀÌ¿Àµå Æ÷ÇÔ), »çÀ̸®½ºÅÍ, Æ®·£Áö½ºÅÍ, ÀúÇ× ¹× Ä¿ÆнÃÅÍ ¹× ±âŸ ±¸¼º ¿ä¼ÒÀÇ ÀÚµ¿ °¨Áö.
ÀÚµ¿ ±¸¼º ¿ä¼ÒÀÇ ÇÉÀ» Å×½ºÆ®ÇÏ°í lcd¿¡ Ç¥½ÃÇÕ´Ï´Ù.
Æ®·£Áö½ºÅÍ, MOSFET º¸È£ ´ÙÀÌ¿Àµå ÁõÆø °è¼ö ¹× ¹ß±¤±â Æ®·£Áö½ºÅÍ ¾ÕÀ¸·Î ÆíÇâµÈ Àü¾ÐÀ» °áÁ¤Çϱâ À§ÇÏ¿© ±âÃʸ¦ °ËÃâÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
MOSFET ÀÓ°è °ª Àü¾ÐÀÇ °ÔÀÌÆ® ¹× °ÔÀÌÆ® Ä¿ÆнÃÅϽº ÃøÁ¤.
³ì»ö ¿ª±¤¼±À» °¡Áø 12864 ¾×Á¤ Àü½Ã¸¦ »ç¿ëÇϽʽÿÀ.
1 ´ÜÃß °¡µ¿, ÀÚµ¿ÀûÀÎ Æó¼â.
´ÜÁö 20nA Æó¼â ÇöÀç.
ÀÚµ¿À¸·Î NPN, PNP ¹ÙÀÌÆú¶ó Æ®·£Áö½ºÅÍ, N ä³Î ¹× P ä³Î MOS FET, JFET, ´ÙÀÌ¿Àµå, 2 °³ÀÇ ´ÙÀÌ¿Àµå, »çÀ̸®½ºÅÍ ÀÛÀº Àü·Â ´Ü¹æÇâ ¹× ¾ç¹æÇâ »çÀ̸®½ºÅ͸¦ °¨ÁöÇÕ´Ï´Ù.
ÀÚµ¿ ½Äº° ±¸¼º ¿ä¼Ò ÇÉ ¹è¿.
ÃøÁ¤ ¾ç±Ø Æ®·£Áö½ºÅÍ ÇöÀç ÁõÆø ÀÎÀÚ ¹× ±âÃÊ ÀÌ¹Ì ÅÍ ¹®ÅÎ Àü¾Ð.
Darlington Æ®·£Áö½ºÅ͸¦ ½Äº°ÇÏ´Â ±âº»ÀûÀÎ Åõ±¤±â ¹®ÅÎ Àü¾Ð ¹× ³ôÀº ÇöÀç ÁõÆø ¿äÀÎÀ» ÅëÇØ.
¾ç±Ø Æ®·£Áö½ºÅÍ¿Í MOS Æ®·£Áö½ºÅÍ º¸È£ ´ÙÀÌ¿Àµå¸¦ °ËÃâÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
°ÔÀÌÆ® MOS FET ÀÓ°è °ª Àü¾Ð ¹× °ÔÀÌÆ® Ä¿ÆнÃÅϽº ÃøÁ¤.
µ¿½Ã¿¡ µÎ °³ÀÇ ÀúÇױ⸦ ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç ÀúÇ× ±âÈ£°¡ Ç¥½ÃµË´Ï´Ù. 4. ÀÇ ¼Ò¼ö°ªÀ¸·Î ¿À¸¥ÂÊ¿¡ Ç¥½ÃµË´Ï´Ù. ¾çÃø¿¡ ÀúÇ× »ó¡Àº ÇÉ ¹øÈ£¸¦ º¸¿©ÁÝ´Ï´Ù. ±×·¡¼ ´ç½ÅÀº potentiometer Â÷°è¸¦ ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ÀüÀ§Â÷°è ¿ÍÀÌÆÛ°¡ ±Ø´ÜÀû ÀÎ À§Ä¡·Î ¿Å°ÜÁöÁö ¾ÊÀ¸¸é ÇÉÀÇ Áß°£ ¹× ¾çÂÊ ³¡À» ±¸º° ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
ÀúÇ× ÃøÁ¤ Çػ󵵴 0.1 ¿È, 50M ¿ÈÀ» ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
CapacitanceCan ÃøÁ¤ ¿ë·® 30pF-100mF, ÇØ»óµµ 1pF.
2 ¹ÌÅ©·ÎÆ÷¸Ë ´õ ¸¹Àº capacitors ÅÍ´Â µ¿µîÇÑ ½Ã¸®Áî ÀúÇ× ESR °ªÀ» µ¿½Ã¿¡ ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. µÎ´Â ¼Ò¼ö°ª, ÇØ»óµµ 0.01 ¿ÈÀ¸·Î Ç¥½Ã ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
Á¤È®ÇÑ ¼ø¼¿¡ ÀÖÀ» ¼ö ÀÖ°í ´ÙÀÌ¿Àµå »ó¡Àº 2°³ÀÇ ´ÙÀÌ¿Àµå¸¦ Ç¥½ÃÇÏ°í, ´ÙÀÌ¿Àµå ¾ÕÀ¸·Î Àü¾ÐÀ» ÁÝ´Ï´Ù.
Led´Â ³ôÀº ´ÙÀÌ¿Àµå ¾ÕÀ¸·Î Àü¾ÐÀ¸·Î °ËÃâµË´Ï´Ù. LedÀÇ °áÇÕÀº 2°³ÀÇ ´ÙÀÌ¿Àµå·Î È®Àε˴ϴÙ.
Eeverse °íÀå Àü¾ÐÀº 4.5V Á¦³Ê´ÙÀÌ¿Àµåº¸´Ù Àû°Ô È®À뵃 ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
´ÜÀÏ ´ÙÀÌ¿Àµå ¿ª capacitance ÅϽº¸¦ ÃøÁ¤ ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ÇÉÀÇ ±âÃÊ ±×¸®°í ¼öÁý°¡ ¶Ç´Â ¿¡¹ÌÅÍ¿¡ ¿¬°áµÈ ¾ç±Ø Æ®·£Áö½ºÅÍ°¡ ¼öÁý±â ¶Ç´Â ÀÌ¹Ì ÅÍ Á¢¼ÓÁ¡ ¹ÝÀü capacitance ÅϽº¸¦ ÃøÁ¤ÇÒ ¼ö ÀÖ´Â °æ¿ì¿¡.
´Ü Çϳª ÃøÁ¤ Á¤·ù±â ±³·® ¿¬°áÀ¸·Î ¾ò¾îÁú ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.